前道:Light Etching、Descum strip;PR Ashing;イオン注入後、フォトリソグラフィ後、めっき前などのプロセス、
バックトラック/先進パッケージ/3 D IC:Descum Bumping、Plasma Treatment;Wafer Cleaningなど。
【主なパラメータ】
•上下材機構4個(300 mm)
•4軸マニピュレータとX移動
•シングル無線周波数ソース構成(13.56 MHz)
•シングルマイクロ波ソース構成(2.45 GHz)
•デュアルソース構成(RF/MW)
•DCPデュアルソース(RF/RF)
•適応wafer 200 mm~300 mm