CentroThermRAPID 200高速熱処理システム

ネゴシエーション可能更新03/19

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概要

CentroThermRAPID 200高速熱処理システム

製品詳細

【製品概要】

セントロセルマc.RAPID 200 RTPシステムは、不活性加工環境または活性加工環境下でシリコン、ゲルマニウム、化合物半導体ウエハとデバイスを均一に制御可能に加熱するための柔軟なプロセスデバイスである。商先創公司は合理的なコストで精密温度と環境制御及び自動ウェハ輸送技術を小型ウェハ加工に応用した。c.RAPID 200の加熱条件は200°Cから1200°Cまで様々であり、加熱時間は数秒から数分まで様々である。先進的なフィードバック温度制御と現代のグラフィックユーザーインタフェースを採用している。モジュール化システム設計により、同じ加工反応チャンバと加工処方を用いて大量製造の開発と小規模試験的生産配置を行うことができる。

【適用プロセス】

・STIパッド

・高kメディアインタフェースの信頼性向上

・界面酸化物生成と焼鈍

・堆積酸化物の緻密化

・FinFETゲート酸化

・RRAMとMRAM金属酸化

【製品の利点】

・Si、化合物半導体（SiC、GaN、InP、GaAs)、サファイアなど

·支持フレーム上またはカートリッジ内のウェハまたはデバイスを加工することができる

・全自動または半自動ウェハ搬送（各ストロークで複数枚のウェハを搬送するオプションを含む）

・先進的なフィードバック温度制御（光学高温度計使用）