真空共晶還流溶接炉H 3

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概要

応用分野：IGBTモジュール、MEMSパッケージ、大電力デバイスパッケージ、光電デバイスパッケージ、気密性パッケージなど

製品詳細

応用分野：IGBT のモジュール、MEMSパッケージ、大電力デバイスパッケージ、光電デバイスパッケージ、気密性パッケージなど。
デバイスの概要：
1、観察システム：キャビティは可視窓を持ち、リアルタイムで溶接過程を観察することができ、
2、加熱システム：設備は3セットの加熱システムを配置し、同時に真空環境下で作業を行う。
3、真空システム：設備は直列高速回転式真空ポンプを配置し、炉腔が0.1 mbar高真空環境に達することを迅速に実現できる。
4、冷却システム：設備は水冷却システムを採用し、高温真空環境下で急速に冷却できることを保証する。
5、ソフトウェアシステム：昇降温プログラマブル制御、プロセスに基づいて昇降温曲線を設定でき、各曲線は自動的に生成でき、編集、修正、記憶などができる。
6、制御システム：ソフトウェアモジュール化設計は独立してプロセス曲線、真空抽出、雰囲気、冷却などを設置することができ、そして生産プロセスを統合し、ワンタッチ操作を実現することができる。
7、雰囲気システム：設備は無フラックス溶接を実現し、H 2、N 2/H 2混合ガス、HCOOH、N 2などの還元或いは保護性ガスを充填することができる。
8、データ記録システム：無停止のリアルタイム監視とデータ記録システム、ソフトウェア曲線記録、温度制御曲線保存、プロセスパラメータ保存、設備パラメータ記録、呼び出しを有する。
9、保護システム：8つのシステムの安全状態監視と安全保護設計（溶接部品の超温保護、機械全体の温度安全保護、気圧が低すぎて警報保護、水圧保護、安全操作保護、溶接時の冷却水路保護、液位保護、停電保護）。

特徴：
1、高真空度：0.01 mbar高真空、空洞真空度の数値はリアルタイムに表示され、制御と調節ができる
2、真空抽気速度、50 m³/h
3、プロセスキャビティ圧力：0.1 mbar
4、加熱板の隔層耐力、単層耐力≧20 kg
5、迅速な降温速度：キャビティに独立した水冷とガス冷却装置を設置し、被溶接装置に迅速な降温を実現させる。
6、低空洞率の溶接品質：溶接を確保した後、大面積パッドは3%以下の空洞率を実現する
7、金錫半田シート、高鉛半田、無鉛錫ペーストなどの材料の高温半田付け要求と半田ペースト真空環境の高品質半田付けの技術要求を満たすことができる。
8、高生産能力：各層の実際の溶接面積は410*540 mmで、多層同時作業で、部品の大量生産を実現する。

技術パラメータ：

型番	H3
ようせつめんせき	4105403層
furnace height	100ミリメートル
たんそうじゅうりょう	20キログラム
さいこうおんど	350℃ — 450℃
せいぎょシステム	温度制御システム+真空システム+冷却システム+雰囲気システム+ソフトウェア制御システム
せいぎょモード	ブランド産業用コンピュータ+ソフトウェアシステム
おんどきょくせん	40段温度制御
定格出力	60KW
じつでんりょく	35KW
重量	900キログラム
真空度	0.1mbar/0.0001mbar
おんどはんい	室温-450℃
最大昇温速度	≥70℃/分
さいだいかねつそくど	≥120℃/分
雰囲気還元	窒素水素混合ガス、純水素ガス、窒素ガス等の不活性ガス及びギ酸
冷水システム	>100L/min，出水口温度：5-10℃
でんげん	380V 50-60A
外形寸法	132012201750ミリメートル

注意：製品のアップグレードは予告なく許可される場合、ウェブサイトと資料は同時にアップグレードされ、実物を基準とする！

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