型番:H 5/H 6解像度:(mm)加工カスタマイズ:拡大倍率:操作方式:測定精度:μm外形寸法(縦*幅*高さ):mm
応用分野:IGBTモジュール、MEMSパッケージ、大電力デバイスパッケージ、光電デバイスパッケージ、気密性パッケージなど。
デバイスの概要:
1、観察システム:キャビティは可視窓を持ち、リアルタイムで溶接過程を観察することができ、
2、加熱システム:設備は5/6セットの加熱システムを配置し、同時に真空環境下で作業を行う。
3、真空システム:設備は直列高速回転式真空ポンプを配置し、炉腔が0.1 mbarの高真空環境に達し、最高真空度0.01 mbarを迅速に実現することができる。
4、冷却システム:設備は水冷却システムを採用し、高温真空環境下で急速に冷却できることを保証する。
5、ソフトウェアシステム:昇降温プログラマブル制御、プロセスに基づいて昇降温曲線を設定でき、各曲線は自動的に生成でき、編集、修正、記憶などができる。
6、制御システム:ソフトウェアモジュール化設計は独立にプロセス曲線、真空抽出、雰囲気、冷却などを設置でき、そして生産プロセスを統合でき、ワンタッチ操作を実現できる。
7、雰囲気システム:設備は無フラックス溶接を実現し、H 2、N 2/H 2混合ガス、HCOOH、N 2などの還元或いは保護性ガスを充填でき、溶接点に空洞がないことを保証する。
8、データ記録システム:無停止のリアルタイム監視とデータ記録システム、ソフトウェア曲線記録、温度制御曲線保存、プロセスパラメータ保存、設備パラメータ記録、呼び出しを有する。
9、保護システム:8つのシステムの安全状態監視と安全保護設計(溶接部品の超温保護、機械全体の温度安全保護、気圧が低すぎて警報保護、水圧保護、安全操作保護、溶接時の冷却水路保護、液位保護、停電保護)。
特徴:
1、高真空度:0.01 mbar高真空、空洞真空度の数値はリアルタイムに表示され、制御と調節ができる
2、真空抽気速度、50 m³/h
3、プロセスキャビティ圧力:0.1 mbar
4、加熱板の隔層耐力、単層耐力≧20 kg
5、迅速な降温速度:キャビティに独立した水冷とガス冷却装置を設置し、被溶接装置に迅速な降温を実現させる。
6、低空洞率の溶接品質:溶接を確保した後、大面積パッドは3%以下の空洞率を実現する
7、金錫半田シート、高鉛半田、無鉛錫ペーストなどの材料の高温半田付け要求と半田ペースト真空環境の高品質半田付けの技術要求を満たすことができる。
8、高生産能力:各層の実際の溶接面積は500×300 mmで、多層同時作業で、部品の大量生産を実現する。
IGBT真空還流溶接技術パラメータ:
| 型番 |
H5 の |
H6 |
| ようせつめんせき |
500*300*70 mm*5階 |
500*300*70 mm*6階 |
| furnace height |
70ミリメートル |
| たんそうじゅうりょう |
20キログラム |
| さいこうおんど |
350℃ — 450℃ |
| せいぎょシステム |
温度制御システム+真空システム+冷却システム+雰囲気システム+ソフトウェア制御システム |
| せいぎょモード |
ブランド産業用コンピュータ+ソフトウェアシステム |
| おんどきょくせん |
40段温度制御 |
| 定格出力 |
70KW |
80KW |
| じつでんりょく |
55KW |
65KW |
| 重量 |
1200キログラム |
1250キログラム |
| 真 空 度 |
0.1mbar/0.0001mbar |
| おんどはんい |
室温-450℃ |
| 最大昇温速度 |
≥70℃/分 |
| さいだいかねつそくど |
≥120℃/分 |
| 雰囲気還元 |
窒素水素混合ガス、純水素ガス、窒素ガス等の不活性ガス及びギ酸 |
| 冷水システム |
>100L/min,出水口温度:5-10℃ |
| でんげん |
380V 50-60A |
| 外形寸法 |
1600*1000*1800mm |
注意:製品のアップグレードは予告なく許可される場合、ウェブサイトと資料は同時にアップグレードされ、実物を基準とする!