SiC高圧スイッチ

SiC高圧スイッチは炭化ケイ素MOSFETからなる。従来のシリコン電界効果トランジスタの高圧スイッチに比べて、オン時インピーダンスを大幅に低下させ、スイッチの固有容量を大幅に低下させ、より高いスイッチング周波数とより良い放熱能力を実現することができる。

• 従来のシリコン電界効果管の高圧スイッチに比べて、オンインピーダンスを約90%大幅に削減することができる
• 従来のシリコン電界効果管の高圧スイッチに比べて、固有容量は約30%~ 50%減少した
• 静的導通損失と動的切替損失を大幅に削減
• 高速内生ダイオードにより、多くの用途における外部保護ダイオードの必要性がなくなる
• より高いピーク電流能力とより良い短絡受容能力