GaAsシリーズ低温低騒音増幅器

米COSMIC MICROWAVE TECHNOLOGY，INC.は、米California Institute of Technologyを前身とする低温低騒音増幅器の開発に取り組む会社。その製品は業界内で低雑音係数、広い周波数応答範囲及び優れた利得と線形性などの優れた性能を持ち、世界的に高い知名度を持っている。

GaAsシリーズの低温低騒音増幅器には、次のようなモデルがあります。

1. CIT118低温HEMTの低低1 1 低1 1. 低1 1. 低1 1 1. 低1 1 1 1. 低1 1 1 1. 低1 1 1 1. 低1 1 1 1. 低1 1 1 1 1. CIT118 低1.

2.CIT416低温HEMT低低低低低低低低低低低低低低低2 2 2 2.CIT416低2 2 2 2.CIT416低低低低低2 2 2.CIT416低2.CITCIT416低

3. CITCRYO1-12D低低3 3 低3 3. 低3 3 3. CITCRYO1-12D低3 3 3 3. 低3 3 3 3.

4. CITCRYO4-12A低4-低4 低4 低低4 4. 低4 4. 低4 4 4. 低4 4 4 4.

CIT 118 Cryogenic HEMT Low Noise Amplifierを例に：

CIT 118はGaAsHEMTの低温、低ノイズ、広帯域増幅器である。増幅器は0.6 V〜1.5 Vの範囲のドレイン電圧と、−3 V〜＋1 Vの範囲のゲート電圧を必要とする。端末Vg 1とVg 2を介して、それぞれ11 Kの直流入力抵抗がある。性能とバイアス電圧についてはp.4の表を参照してください。必要に応じて、ゲート電源をオフにすることができます（回路ピンVg 1とVg 2をオンにする）。

増幅器を室温で動作させる場合、0.5〜22 GHzノイズは1、70 dB未満であり、利得>33 dBである。注意して、室温では負のゲート電源電圧が必要であり、通常は−1.5 Vである。しかし、低温で動作するゲート電圧（通常は0 V）が室温で増幅器を適用しても壊れないが、利得は低い。入出力エコー損失は300 Kから4 Kまで変化が小さい。