GBB Model 120高性能マイクロ波プローブGBB Model 120

特徴

耐久性 75 GHz から 120 GHz

インサート損失 最大1.75 db（75〜110 GHz）

リターン損失 最大15 db（75〜110 GHz）

個別にスプリングロードされた接触

測定の繰り返し性 -50 db

バイアス T オプション

特許同軸設計

「 Theモデル 120 PICOPROBE®マイクロ波探査性能の新しい基準を設定します。固有の低損失と低分散特性を持つ同軸技術の恩恵を受けて,モデル120 Picoprobe®は,周波数範囲で1.75 db (典型的) 未満の插入損失と15 db (最大) 以上のリターン損失を達成します.

個別にスプリングロードされたベリリウム・銅の尖で,モデル120 Picoprobe®は,非平面構造を探査するときでも信頼性の高い接触を提供します.この信頼性の高い低抵抗接触は,W バンド周波数で非常に繰り返し可能な測定 (-50 db) を提供する鍵の1つです.モデル 120 ピコプローブは,正確な位置定義のためにプローブの先端を直接表示することもできます.

50ミクロンから450ミクロンまでのピッチ（先端間隔）を指定することができます。プローブは、グラウンド・シグナル・グラウンド（G,S,G）、グラウンド・シグナル（G,S）、またはシグナル・グラウンド（S,G）の先の足跡で構成することができます。最高のパフォーマンスのためにG、S、Gの足跡を持つ小さなピッチをお勧めします

モデル120-GSG-150-BTの典型的な非校正パフォーマンスは,CS-5校正基板上の50オーム負荷に接触します.

モデル120-GSG-150-BTの典型的なインサート損失。

Picoprobe®モデル120のBias Tは,テスト中のデバイスに1.5Aまで供給するための直接低抵抗DCパスを提供します.Bias Tは、WR-10波導体の切断周波数（59.05 GHz）以下の周波数で損失を加える特別な回路を持っています。このデータは、キャリブレートされたモデル67Aの先端からモデル120-GSG-150-BTの先端に40 MHz〜67 GHzの信号を発射することによって取得されました。この低周波数損失なければ、ほとんどのアクティブデバイスは振動します。

LRM/TRM校正を実施した後,CS-5校正基板を使用して,モデル120をオープンエンド50ps coplanarラインに前方反射します.滑らかな内向きの螺旋線は,滑らかに変化する相と組み合わせて,周波数で50 psの共同線の損失が増加することを示しています.CS-5キャリブレーションサブストレートは,優れたLRL/TRLおよびSOLT Wバンドキャリブレーションも実行します.詳細データはリクエストに応じてご利用いただけます。

モデル 120-BT 波導体の寸法	モデル 120-BT-M 波導体の寸法