Catalog C 4-低抵抗型

TrenchFET MOSFET技術を用いて、C 4スイッチをオンさせる時の抵抗は極めて低く、エネルギー損失は小さい。C 4スイッチの切り替え速度は典型的なパワーFETスイッチよりやや低いが、IGBTスイッチの速度よりずっと高い。IGBTスイッチの負温度係数に対して、C 4スイッチの正温度係数は、短絡保護の設計を実現するのに役立つ、また、過電圧過渡状態と逆電圧電流についても、C 4スイッチの危険性はIGBTスイッチよりも小さいため、C 4スイッチはIGBTスイッチの代わりに適しており、悪い環境下でも動作の安全性を保証することができる。